找到相关新闻1篇
PL60N02DTO-252-320VN通道增强模式MOSFET
概述PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序...
2022-09-24 17:17:14
|
1
|
