顺络迅达申请小尺寸磁屏蔽电感及其制作方法专利，有效减少电感漏磁对周边电路与器件的影响
制作时在磁芯骨架上绕线，焊接，封装，分选外观，分选电性编带，得到小尺寸磁屏蔽电感，实现了电感磁屏蔽的功能，有效减少了电感漏磁对周边电路与器件的影响...
金融界网站 5小时前
成都奕成集成电路申请带导电通孔的玻璃基板及其制作方法专利，提升玻璃通孔的整体性能和可靠性
本文源自:金融界金融界2024 年11 月11 日消息，国家知识产权局信息显示，成都奕成集成电路有限公司申请一项名为“一种带导电通孔的玻璃基板及其制作方法”的专利，...
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矽品科技苏州申请改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法专利，从根本上改善重布线层制程中的光阻脱层现象
本文源自:金融界金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，矽品科技（苏州）有限公司申请一项名为“一种晶圆凸块重布线层、改善光阻脱层的晶圆凸块重布线层制作方法”的专利，...
金融界网站 5小时前
珠海格力申请一种半导体器件及其制作方法专利，半导体器件的可靠度提高
本文源自:金融界金融界2024 年11 月11 日消息，国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司和珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法”的专利，...
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上海积塔半导体申请半导体器件及其制作方法专利，降低 RC 延迟，提升半导体器件的性能
这样，一方面导电插塞能够提供良好的导电稳定性，另一方面通过使用互连层插塞替代上方的一部分导电插塞，能够降低第一层间介质层中导电插塞的电阻率，有效降低 RC 延迟，提升半导体器件的性能...
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华天科技（昆山）申请可降低 TSV 孔底应力的扇出型封装结构及其制作方法专利，可提高扇出封装结构的良率
本发明通过倒角结构的 TSV 孔可降低孔底应力，减少对绝缘层的影响，并可避免绝缘层以及金属线路层材料在 TSV 孔的孔口处出现堆积的问题；本发明可提高扇出封装结构的良率，节约封装成本...
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福建省晋华集成电路申请半导体器件及其制作方法专利，改善半导体器件的操作表现
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括源极、漏极、闸极、通道结构、支撑层以及闸极电介质层...
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芯映光电申请一种 LED 显示器件的制作方法及 LED 显示器件专利，简化封装体内线路制作流程
本文源自:金融界金融界2024 年11 月11 日消息，国家知识产权局信息显示，湖北芯映光电有限公司申请一项名为“一种LED 显示器件的制作方法及LED 显示器件”的专利，...
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中国第一汽车股份有限公司申请用于拍振问题评价的噪声信号制作方法及装置专利，将车内拍振问题噪声信号用于做主观评价制定目标
本文源自:金融界金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，中国第一汽车股份有限公司申请一项名为“一种用于拍振问题评价的噪声信号制作方法及装置”的专利，...
金融界网站 2024-11-11 09:22:09
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