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杭州驰机电申请新布局形式立式单腔化硅外延系统专利,系统设计合理,安全可靠

本发明系统设计合理,安全可靠,低硬件,低耗材成本,维护周期长,工艺质量好,满足使用需求...

金融界网站 2024-12-02 14:35:09

冬天取,关于一氧化中毒知识一定要了解,关键时刻能救命!

即将进入大雪时节,天气日渐寒冷,烧炭取暖、燃气热水器等设备为我们的冬季,添上了浓浓暖意,但如果使用不当,它们也可能成为我们身边最可怕的“无形杀手”...

大名院名医 2024-12-02 11:37:16

买电器买什么样好 物美价廉家用取品牌排行榜

而电暖器,作为冬季取暖的重要工具,其性能好坏直接影响到我们的生活质量。市场上电暖器品牌繁多,型号各异,该如何选择一款物美价廉、安全高效的家用电暖器呢...

家居生活倌 2024-12-01 19:44:18

北京格领域半导体申请液相法生长圆柱形化硅单装置及方法专利,能降低圆加工难度和成本

本发明提供了一种用于液相法生长圆柱形碳化硅单晶的装置及方法,能够有效抑制碳化硅晶体在液相生长中生长速率的各向异性,并制备得到圆柱形碳化硅晶体,以降低晶圆加工难度和成本...

金融界网站 2024-11-30 10:16:53

北京格领域半导体有限公司申请化硅体相关专利,可实现在更短时间得到高质量、大尺寸化硅

本发明提供的助熔剂可以降低碳化硅晶体的生长的温度,实现更低温下碳化硅晶体的生长,同时可以增加碳在硅熔体中的溶解度,提高晶体生长前期硅熔体中碳的浓度,可实现在更短的时间得到高质量、大尺寸的碳化硅晶体...

金融界网站 2024-11-30 10:16:53

北京格领域半导体申请用于气相生长化硅单方法及装置专利,能够提供一种优化体径向温度均匀性和背向散热均匀性技术

本发明实施例提供了一种用于气相生长碳化硅单晶的方法及装置,能够提供一种优化晶体径向温度均匀性和背向散热均匀性的技术...

金融界网站 2024-11-30 10:16:53

北京格领域半导体申请快速生长大尺寸高质量立方化硅单装置及方法专利,满足快速生长大尺寸立方化硅单工艺需求

本发明提供的装置可以有效克服由于生长温度较低导致的熔体黏度大、流动性差、溶质传输速率低等严重限制晶体生长速度和质量的问题,满足快速生长大尺寸立方碳化硅单晶的工艺需求...

金融界网站 2024-11-30 10:16:53

北京格领域半导体公司申请液相法化硅单生长装置及方法专利,提高利用率

本发明装置可以实现长晶前的高温线位置确定与调整,可以减弱生长溶液中自循环对流,提高碳的利用率...

金融界网站 2024-11-30 10:16:53

北京格领域半导体申请一种用于液相生长化硅装置及方法专利,确保化硅体生长过程温度稳定性

本发明提供的装置可以确保碳化硅晶体生长过程温度稳定性,同时避免籽晶提拉和旋转过程抖动过大的问题...

金融界网站 2024-11-30 10:16:53

自贡硬质合金申请一种超细 WC 硬质合金烧结工艺专利,减少合金损失

本文源自:金融界金融界2024 年11 月30 日消息,国家知识产权局信息显示,自贡硬质合金有限责任公司申请一项名为“一种超细晶WC 硬质合金的烧结工艺”的专利,...

金融界网站 2024-11-30 09:37:00

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