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东微半导申请半导体功率器件制造方法专利，可在n型外延层内形成浅沟槽
转自：金融界本文源自:金融界金融界2023年11月28日消息，据国家知识产权局公告，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“半导体功率器件的制造方法“，...
金融界网站 2023-11-28 10:50:40
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