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接口速度5.6 GT/s、超400层！三星将推出第10代V-NAND闪存
快科技12月5日消息，据媒体报道，三星即将在国际固态电路会议（ISSCC）上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash，接口速度可达5.6 GT/s...
快科技官方 2024-12-05 11:37:52
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