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山东天岳先进科技申请大尺寸、低电阻 4H 碳化硅晶棒专利,降低器件整体导通电阻
专利摘要显示,本申请公开了一种大尺寸、低电阻 4H 碳化硅晶棒、低电阻 4H 碳化硅 Wafer 及制备方法,属于 N 型碳化硅单晶材料制备技术领域...
金融界网站 3小时前
北京晶格领域半导体申请快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置及方法专利,满足快速生长大尺寸立方碳化硅单晶的工艺需求
本发明提供的装置可以有效克服由于生长温度较低导致的熔体黏度大、流动性差、溶质传输速率低等严重限制晶体生长速度和质量的问题,满足快速生长大尺寸立方碳化硅单晶的工艺需求...
金融界网站 3小时前
北京晶格领域半导体有限公司申请碳化硅晶体相关专利,可实现在更短的时间得到高质量、大尺寸的碳化硅晶体
本发明提供的助熔剂可以降低碳化硅晶体的生长的温度,实现更低温下碳化硅晶体的生长,同时可以增加碳在硅熔体中的溶解度,提高晶体生长前期硅熔体中碳的浓度,可实现在更短的时间得到高质量、大尺寸的碳化硅晶体...